Produkt zum Begriff MOSFET:
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seeed Grove - MOSFET (CJQ4435)
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Preis: 4.50 € | Versand*: 4.95 € -
Adafruit CQA240327P, MOSFET Driver JST PH 2mm, AO3406 MOSFET, 1N4007 Diode, 3-30V
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Preis: 4.35 € | Versand*: 4.95 € -
Pololu Big MOSFET-Schiebeschalter mit Verpolungsschutz
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Preis: 7.60 € | Versand*: 4.95 € -
Pololu Mini-MOSFET-Schiebeschalter mit Verpolungsschutz
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Preis: 3.70 € | Versand*: 4.95 €
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Wie sterben MOSFET-Transistoren?
MOSFET-Transistoren können auf verschiedene Arten sterben. Eine häufige Ursache ist eine Überhitzung, die zu einer Beschädigung der internen Strukturen führt. Eine andere Möglichkeit ist eine Überlastung, bei der der Transistor zu viel Strom oder Spannung abbekommt und dadurch zerstört wird. Schließlich können auch elektrostatische Entladungen oder unsachgemäße Handhabung zu einem Ausfall des Transistors führen.
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Was sind MOSFET-Widerstände?
MOSFET-Widerstände sind spezielle Widerstände, die auf der Basis von MOSFET-Transistoren aufgebaut sind. Sie werden verwendet, um den Widerstand in Schaltungen zu steuern und bieten eine hohe Präzision und Stabilität. MOSFET-Widerstände werden oft in Anwendungen eingesetzt, die eine präzise Steuerung des Widerstands erfordern, wie zum Beispiel in der Messtechnik oder in der Regelungstechnik.
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Wie wird ein MOSFET beschaltet?
Ein MOSFET kann auf verschiedene Arten beschaltet werden, je nachdem, wie er verwendet werden soll. Die grundlegende Schaltung besteht aus einer Spannungsquelle, die den Gate-Anschluss mit einer Steuerspannung versorgt, einer Last, die zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss angeschlossen ist, und einem Widerstand, der den Gate-Anschluss mit dem Source-Anschluss verbindet. Zusätzliche Komponenten wie Kondensatoren oder Widerstände können verwendet werden, um die Schaltung zu optimieren oder bestimmte Funktionen zu realisieren.
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Wie kann die Selbsthaltung bei einem N-Kanal-MOSFET und einem P-Kanal-MOSFET aufgelöst werden?
Die Selbsthaltung bei einem N-Kanal-MOSFET kann durch das Hinzufügen eines Widerstands zwischen dem Gate und der Source aufgelöst werden. Dieser Widerstand sorgt dafür, dass das Gate-Potenzial auf Null zurückgesetzt wird, wenn die Spannung an der Source abfällt. Bei einem P-Kanal-MOSFET kann die Selbsthaltung durch das Hinzufügen eines Widerstands zwischen dem Gate und der Drain aufgelöst werden, um das Gate-Potenzial auf Null zu setzen, wenn die Spannung an der Drain abfällt.
Ähnliche Suchbegriffe für MOSFET:
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Pololu Funkschalter mit kleinem Low-Side MOSFET
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Preis: 11.20 € | Versand*: 4.95 € -
Danelectro ROE-1 Roebuck Mosfet Distortion Pedal
Neuinterpretation eines in Japan gefertigten MOSFET-Verzerrer Pedals aus den 1990er Jahren das originale Pedal ist ein Standard Effekt für Gitarristen von Nashville-Sessions effektive Klangregelung ermöglicht eine große Auswahl an Sounds, von cremigem Boost bis hin zu voller Verzerrung, der 3-Band-EQ ermöglicht nahezu unbegrenzte Möglichkeiten 3 Clipping-Modi zur Klangformung ermöglichen eine größere klangliche Flexibilität als eine herkömmliche MOSFET-Verzerrung Regler: Bass, Mid, Treble, Dist und Level True Bypass Stromversorgung: Standard 9V Netzteil (nicht im Lieferumfang enthalten) Metallgehäuse made in China DANELECTRO - ROEBUCK DISTORTION The Danelectro Roebuck Distortion effect pedal is inspired by an early 1990s MOSFET distortion unit that has become a popular pedal in Nashville studio circles. With an analog MOSFET circuit at its heart, this effect pedal delivers extremely flexible distortion sounds, from transparent drive tones to classic British tones and massive, high-gain distortion. The 3-band EQ lets you tailor the sound precisely, while three Clippings modes influence the basic timbre. Finally, the Danelectro Roebuck Distortion features a sturdy metal case with an authentic vintage look. Features: Recreates the legendary MOSFET distortion pedal of the '90s, used by Nashville session musicians. It has the same sound and texture, but with 3 rich clipping options. 3-band EQ with almost unlimited options. Bass, Mid, Treble, Dist and Level controls. I, II and III switches. True Bypass. Metal casing. Operates on 9V DC (not included)
Preis: 199.00 € | Versand*: 0.00 € -
Bausatz Mosfet-Treiber, RB-8/8x100W, V1.0
Schnell schaltende Halbleiter Relaiskarte, ideal zum Ansteuern von LED-Strips (Farbmischung), Leistungssteuerung von Lastwiderständen, Heizfolien, Peltier-Elementen, Magnetspulen, Halogenlampen, DC-Motoren usw. Dieser Treiber kann auf 8 Kanälen mit Steuersignalen von 2,5 bis 5 V (typischerweise von μP), über Leistungs-Mosfet-Transistoren angeschlossene Lasten (max. je 100 W) schnell ein- und ausschalten, bzw. ihre Leistungsaufnahme über ein variables Puls-Pausenverhältnis steuern (dimmen), und ist damit mechanischen Relaiskarten weit überlegen. Ideal zum Ansteuern und dimmen von LED-Strips (flimmerfreie Farbmischungen bei Schaltfrequenzen von 100Hz möglich), Lastwiderständen, Heizfolien, Peltier-Elementen, Lastschützen, Magnetspulen, Halogenlampen und DC-Motoren. Bitte beachten Sie unbedingt die genauen Laststromangaben unter dem Punkt "technische Daten" in der Beschreibung, welche Sie hier als Download einsehen können! Technische Daten: Ansteuerpegel: logisch Null (Last aus) 0 ... 0,8 V Ansteuerpegel: logisch Eins (Last ein) 2,5 ... 5 V Eingangs-Steuerstrom: 1 ... 2,7 mA galvanische Trennung von Steuer- und Lastkreisen über Opto-Koppler Betriebsspannungsbereich für die Lastseite: 4,8 ... 24 V Stromaufnahme der Steuerelektronik: 6 mA pro angeschalteten Kanal max. Laststrom für ohmsche Verbraucher, bei nur einem angeschalteten Kanal: 4 A Lieferumfang: Bausatz Aufbauanleitung
Preis: 11.25 € | Versand*: 5.99 € -
Pololu Funkschalter mit mittlerem Low-Side MOSFET
Pololu Funkschalter mit mittlerem Low-Side MOSFET
Preis: 12.90 € | Versand*: 4.95 €
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Ist der MOSFET vom Verarmungstyp selbstleitend?
Nein, der MOSFET vom Verarmungstyp ist nicht selbstleitend. Im Gegensatz dazu ist der MOSFET vom Anreicherungstyp selbstleitend, da er bei einer positiven Gate-Spannung einen Kanal öffnet und den Stromfluss ermöglicht. Beim MOSFET vom Verarmungstyp hingegen wird der Kanal durch eine negative Gate-Spannung geschlossen und der Stromfluss unterbrochen.
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Was ist ein MOSFET mit GDS?
Ein MOSFET mit GDS bezieht sich auf die drei Hauptanschlüsse eines MOSFET-Transistors: Gate (G), Drain (D) und Source (S). GDS steht für die Verbindung zwischen diesen drei Anschlüssen. Der Gate-Anschluss steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source, wodurch der MOSFET als Schalter oder Verstärker verwendet werden kann.
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Wie wählt man einen MOSFET aus?
Um einen MOSFET auszuwählen, müssen mehrere Faktoren berücksichtigt werden. Dazu gehören die benötigte Spannungs- und Strombelastbarkeit, der Einschaltwiderstand, die Schaltgeschwindigkeit und die Verlustleistung. Es ist auch wichtig, die Anforderungen des Anwendungsdesigns zu berücksichtigen, wie z.B. den Einschaltdauerzyklus und die Umgebungstemperatur. Eine gründliche Analyse dieser Faktoren ermöglicht es, den am besten geeigneten MOSFET für die Anwendung auszuwählen.
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Wie viel Steuerstrom benötigt ein MOSFET?
Ein MOSFET benötigt sehr wenig Steuerstrom, typischerweise im Bereich von Mikroampere bis Milliampere. Der genaue Wert hängt von der spezifischen MOSFET-Schaltung und den Betriebsbedingungen ab. Es ist wichtig, den Steuerstrom innerhalb der vom Hersteller angegebenen Grenzwerte zu halten, um eine zuverlässige und stabile Funktion des MOSFETs sicherzustellen.
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